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硅基砷化镓量子点激光器有望推动光计算发展【必定赢】
本文摘要:日本东京大学宣称初次在电液压柱塞泵硅基砷简单化铟/砷化镓量子点激光发生器中,搭建1.3μm激射光波长。

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日本东京大学宣称初次在电液压柱塞泵硅基砷简单化铟/砷化镓量子点激光发生器中,搭建1.3μm激射光波长。应用分子结构束外延技术性在硅(001)轴上必需生长砷化镓。

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在应用分子结构束外延技术性生长量子点层以前,一般来说应用金属材料分析化学液相堆积法沿硅(001)轴生长。搭建分子结构束外延引晶技术性的取代技术性涉及切成衬底,避免 超越晶格、反相互之间界限和瓣等晶体缺陷的造成。出现意外的是,离轴硅与流行根据CMOS电子元器件不兼容。

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金属材料分析化学液相堆积没法合理地过滤装置晶格,或是生长合理地闪动的量子点。该精英团队强调1.3μm激光发生器的发展趋势有利于拓张硅光量子学解决困难较低视频码率相对密度和高功耗等金属材料布线问题,以作为下一代推算出来。科学研究工作人员将n型衬底作为液體源分子结构束外延。最先将生长室溫度制冷至950℃,并进行五分钟衬底热处理工艺。

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根据生长3个300纳米技术薄砷化镓层与在砷化镓层上生长的铟镓砷/砷化镓紧急事件强力晶格,诱发超越晶格到达量子点层。量子点层的超越晶格相对密度为5×107/公分2。

科学研究精英团队觉得,在塑料薄膜堆积全过程中进行热力循环热处理工艺,有利于更进一步降低晶格相对密度。根据将生长温控在500℃,并且以每钟头1.1微米的速率髙速生长40纳米技术薄铝镓砷此谓晶层,使反相互之间界限在堆积的砷化镓油压缓冲器层中的400纳米技术范畴内消退,进而避免 反相互之间界限的造成。量子点竖向精确测量大概30纳米技术,相对密度为5×1010/cm2。该构造的光致发光抗压强度是在GaAs衬底上生长的构造的80%。


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